Чтобы правильно перевести одни единицы измерения в другие, воспользуйтесь онлайн-конвертером единиц измерения длины и расстояния. Смотрите таблицу перевода из Метров в Нанометры и видео про наномир. Конвертировать из Нанометров в Метров. Введите сумму, которую вы хотите конвертировать и нажмите кнопку конвертировать (↻). Единицы длины 015 Нанометр нм НМ (введено Изменением N 23/2023 ОКЕИ, утв.
Нанометры в метр
Например чтобы перевести сантиметры в метры надо умножить количество сантиметров на 100, метры в сантиметры поделить количество метров на 100. 6. Перевод из нанометров (нм) в метры (м). Перевод нанометров в метры. Как перевести микрометры в метры.
Конвертер единиц расстояния и длины
В физике термин «длина» обычно используется как синоним «расстояния» и обозначается L или l от англ. В ряде других пространственных величин, длина — это величина единичной размерности, тогда как площадь — двухмерная, а объём — трёхмерная. В большинстве систем измерений единица длины — одна из основных единиц измерения, через которые определяются другие производные единицы.
Десятка сотка микрон. Сколько нанометров в 1 миллиметре. Таблица Ньютона. Перевести ньютоны в килоньютоны. Таблица Ньютона на килограмм. Диапазоны спектра электромагнитного излучения.
Спектр электромагнитного излучения спектр видимого света. Спектр длин волн электромагнитных излучений. Видимый диапазон электромагнитного спектра. Мкм мера измерения. Мкм сколько микрон. Микрометр единица длины. Единица измерения после миллиметра. Мкм это микрометр или микрон.
Единица измерения 1 микрон. Нанометр в мм. Приставки нано Пико. Мини микро нано величины. Приставка микро обозначение. Приставка микро какая степень. Микрометр обозначение на английском. Микрон обозначение.
Международное обозначение приставок. Микрон обозначение мкм. Номиналы индуктивностей таблица. Индуктивность единица измерения. Индуктивность катушки единицы измерения. Генри Индуктивность единицы. Единицы длины миллиметр. Метр миллиметр микрометр.
Метр, единица измерения. Обозначения единиц длины. Площадь кратные и дольные. Таблица величин длины, массы и времени. Конденсатор емкостью 1 Фарад. Микрофарады в Фарады обозначение. Обозначение микрофарад на конденсаторах. Маркировка конденсаторов Фарадов.
Сколько в одном метре микрометров. Сколька в1 милеметре микрон. Микрометр сколько мм. Момент затяжки кгс см. Момент затяжки болтов кгс см. Таблица перевода ньютонов в килограммы. Таблица перевода момента затяжки болтов.
Вы берете кремниевую пластину, на которой заранее с помощью фотолитографии нанесен рисунок, закрывающий оксидом кремния те места, где примесь не нужна, и открывающий те, где она нужна. Дальше нужно поместить газообразную примесь в одну камеру с кристаллом и нагреть до температуры, при которой примесь начнет проникать в кремний. Регулируя температуру и длительность процесса, можно добиться требуемого количества и глубины примеси. Очевидный минус диффузии — то, что примесь проникает в кремний во всех направлениях одинаково, что вниз, что вбок, таким образом сокращая эффективную длину канала. И мы говорим сейчас о сотнях нанометров! Пока проектные нормы измерялись в десятках микрон, все было нормально, но разумеется, такое положение дел не могло продолжаться долго, и на смену диффузии пришла ионная имплантация. При ионной имплантации пучок ионов примеси разгоняется и направляется на пластину кремния. При этом все ионы движутся в одном направлении, что практически исключает их расползание в стороны. В теории, конечно же. На практике ионы все-таки немного расползаются в стороны, хоть и на гораздо меньшие расстояния, чем при диффузии. Тем не менее, если мы возвратимся к рисунку транзистора, то увидим, что разница между топологической и эффективной длиной канала начинается именно из-за этого небольшого расползания. Ей, в принципе, можно было бы пренебречь, но она — не единственная причина различия. Есть еще короткоканальные эффекты. Их пять, и они разными способами изменяют параметры транзистора в случае, если длина канала приближается к различным физическим ограничениям. Описывать все их я не буду, остановлюсь на самом релевантном для нас — DIBL Drain-Induced Barrier Lowering, индуцированное стоком снижение потенциального барьера. Для того, чтобы попасть в сток, электрон или дырка должен преодолеть потенциальный барьер стокового pn-перехода. Напряжение на затворе уменьшает этот барьер, таким образом управляя током через транзистор, и мы хотим, чтобы напряжение на затворе было единственным управляющим напряжением. К сожалению, если канал транзистора слишком короткий, на поведение транзистора начинает влиять стоковый pn-переход, который во-первых, снижает поровогое напряжение см. Рисунок 5. Источник — википедия. Кроме того, уменьшение длины канала приводит к тому, что носители заряда начинают свободно попадать из истока в сток, минуя канал и формируя ток утечки bad current на рисунке ниже , он же статическое энергопотребление, отсутствие которого было одной из важных причин раннего успеха КМОП-технологии, довольно тормозной по сравнению с биполярными конкурентами того времени. Фактически, каждый транзистор в современной технологии имеет стоящий параллельно ему резистор, номинал которого тем меньше, чем меньше длина канала. Рисунок 6. Рост статического потребления из-за утечек в технологиях с коротким каналом. Источник — Synopsys. Рисунок 7. Доля статического энергопотребления микропроцессоров на разных проектных нормах. Источник — B. Dieny et. Собственно, примерно в момент, когда это стало важной проблемой, и начался маркетинговый мухлеж с проектными нормами, потому что прогресс в литографии стал опережать прогресс в физике. Для борьбы с нежелательными эффектами короткого канала на проектных нормах 800-32 нанометров было придумано очень много разных технологических решений, и я не буду описывать их все, иначе статья разрастется до совсем уж неприличных размеров, но с каждым новым шагом приходилось внедрять новые решения — дополнительные легирования областей, прилегающих к pn-переходам, легирования в глубине для предотвращения утечек, локальное превращение кремния в транзисторах в кремний-германий… Ни один шаг в уменьшении размеров транзисторов не дался просто так. Рисунок 8. Эффективная длина канала в технологиях 90 нм и 32 нм. Транзисторы сняты в одном и том же масштабе. Полукруги на рисунках — это форма дополнительного слабого подлегирования стоков LDD, lightly doped drain , делаемого для уменьшения ширины pn-переходов. Типичные размеры металлизации и расстояния между элементами при переходе от 90 нм до примерно 28 нм уменьшались пропорционально уменьшению цифры проектных норм, то есть типовой размер следующего поколения составлял 0. Одновременно с этим длина канала уменьшалась в лучшем случае как 0.
Для непосвященных может показаться что это достаточно рядовое событие, мало ли институтов создавалось в раннем, и тем более в позднем СССР. Поэтому, компания ByteDance владеющая социальной сетью TikTok объявила о том, что скорее закроет сервис для пользователей США, чем продаст его. Не секрет, что на протяжении нескольких лет власти страны обвиняют соцсеть в теоретически возможной работе на китайские власти. Почему же ByteDance предпочитает уйти с достаточно большого рынка , а не заработать на продаже сервиса?
Нм - это нанометр. Перевод нанометров в метры
Конвертация расстояний: от километров к морским милям. Эти функции особенно полезны для специалистов и любителей, работающих с международными стандартами измерения. Перевод единиц длины: От метров до миль Мир измерений длины насыщен и разнообразен. От метрической системы до древних и традиционных систем разных стран и культур — перевод единиц длины требует точности и понимания.
Наш универсальный конвертер единиц длины поможет вам без труда переходить от одной системы измерения к другой. Исторические и современные системы измерения Российская система измерения длины, восходящая к разным эпохам и культурам, отличается от традиционных систем, используемых в других странах. Наш конвертер поможет вам легко адаптироваться к любой из них, будь то японская, британская, американская или любая другая система.
Численно 1 акр равен 4046. Руд сокращённо r — английская единица измерения площади, равная одной четверти акра. Численно 1 руд равен 1011,7141056 кв.
Для быстрой версии это эквивалентно 190 элементарным квадратам — еще чуть хуже, чем для прошлых технорм. Но Intel продолжает использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию и для 14 нм — со все еще двойным формированием. А для 10 нм которые Intel уже шесть лет пытается довести до ума — экспозиций и масок уже от трех до пяти не считая скругления вставок. Ведь цифры теперь мало что значат… Как сказал Паоло Гарджини Paolo Gargini — ветеран Intel и пожизненный член IEEE : число нанометров промышленной технормы «к этому времени уже не имеет совершенно никакого значения, так как не обозначает размер чего-либо, что можно найти на кристалле и что относится к вашей работе». Скажем, в новейших техпроцессах «7 нм» Samsung и TSMC на кристалле нет ничего, что было бы настолько малым. Например, длина затворов там — 15 нм. Другая проблема, возникающая в этой связи — стоимость каждого транзистора. Все предыдущие 60 лет развития микроэлектроники основывались на уверенности в том, что даже несмотря на постоянное увеличение цены заводов и разработки техпроцессов и чипов цена самих чипов в пересчете на транзистор будет все время уменьшаться. Так и происходило — примерно до 32 нм, после которых наступил раскол: микросхемы памяти продолжили дешеветь на единицу объема особенно это коснулось флэш-памяти, которая массово перешла на объемное хранение данных на десятках уровней — технология 3D-NAND , а вот логика сильно затормозилась. Да, последние версии техпроцессов 14 нм предлагают транзисторы все же чуть дешевле, чем у 22 нм — но именно что «чуть», и это после стольких лет возни. Да и производительность при том же потреблении энергии хоть и растет, но всё медленнее… Простейшим решением была бы перепривязка технормы к размеру не затвора, а чего-то другого, более представительного для современного транзистора. Одним числом тут не обойдешься, поэтому предложено использовать две меры длины: CPP, contacted poly gate pitch — шаг поликремниевого затвора с контактом то есть между затворами соседних транзисторов ; и MMP, metal-to-metal pitch — шаг первого уровня металлических дорожек, проходящих перпендикулярно поликремниевым линиям, нарезаемым на затворы. Причем теперь нет смысла делить оба шага на два, так как эта половина теперь менее важна. Эта пара значений на некоторое время стала «наименьшим общим знаменателем» в описании логического техпроцесса, а их произведение дает неплохую оценку возможной площади транзистора. Любой фактический транзистор на кристалле будет немного или много больше, но никак не меньше этого минимума, и к этому идеалу вполне можно приблизиться при тщательном проектировании и следовании правилам техпроцесса. Ситуация второй половины 2010-х годов получилась весьма похожей на то, что переживали в кризис производители продуктов питания: чтобы не увеличивать цены на привычные товары, их просто стали недоливать и недосыпать. Нет-нет, в каждом килобайте кэша все еще ровно 1024 байта, а не 970 как написано число миллилитров на некоторых «литровых» бутылках молока. Но чиподелы просто окончательно отвязали свои рекламируемые нанометры от физических размеров чего-либо в изготавливаемых микросхемах. А Intel пошла еще дальше и вспомнила принцип «не можешь отменить — возглавь»: в 2017 г. Однако после техпроцесса 22 нм «другие компании» по мнению Intel отказались от этого, продолжив уменьшать число нанометров у технормы, но при минимальном, а то и совсем отсутствующем повышении плотности. По мнению Бора, это связано с ростом сложности дальнейшего уменьшения размеров. В результате декларируемые значения не дают представления о реальных возможностях техпроцесса и его положении на графике, который должен демонстрировать сохранение применимости закона Мура. Вместо этого Intel предложила определять возможности техпроцесса по новой формуле, в которую входят площади типовых блоков — простейшего вентиля 2-NAND двухвходовый логический элемент «и-не» и более сложного синхронного триггера — и число транзисторов в них; их отношения умножены на «правильные» коэффициенты, отражающие относительную распространенность простых 0,6 и сложных 0,4 элементов. Сразу можно заподозрить, что все цифры подобраны для еще более наглядной демонстрации лидерства Intel в сравнении с «другими производителями».
Этот пролив соединяет залив Сан-Франциско и Тихий океан. Длина моста составляет 2,7 километра или 1,7 мили. Общие сведения Длина — это наибольшее измерение тела. В трехмерном пространстве длина обычно измеряется горизонтально. Расстояние — это величина, определяющая насколько два тела удалены друг от друга. Измерение расстояния и длины Единицы расстояния и длины В системе СИ длина измеряется в метрах. В странах, где не пользуются метрической системой, например в США и Великобритании, используют такие единицы как дюймы, футы и мили. Расстояние в физике и биологии В биологии и физике часто измеряют длину намного менее одного миллиметра.
Перевести метры в нанометры
На этом сайте никогда не будет вирусов или других вредоносных программ. Наша задача упростить вашу работу и постараться помочь Вам по мере своих сил. Данный сайт является бесплатным сервисом предназначенным облегчить Вашу работу.
Как конвертировать нанометры в метры используя деление? Разделите значение в нанометрах на 1000000000, получив точное количество метров.
Таблица конвертирования.
Next enter the value you want to convert. From the selection list, choose the unit that corresponds to the value you want to convert. Finally choose the unit you want the value to be converted to. Then, when the result appears, there is still the possibility of rounding it to a specific number of decimal places, whenever it makes sense to do so. After that, it converts the entered value into all of the appropriate units known to it. In the resulting list, you will be sure also to find the conversion you originally sought.
For this alternative, the calculator also figures out immediately into which unit the original value is specifically to be converted.
Как перевести нанометры в метры? Советы по преобразованию нанометров в метры Помните, что если вы работаете с экспонентами, вы просто добавляете «9» к значению в метрах, чтобы получить ответ в нанометрах.
Если вы записываете число, переместите десятичную запятую на девять позиций влево, чтобы преобразовать нанометры в метры, или вправо, чтобы преобразовать метры в нанометры. Чему равен нанометр в метрах? Нанометр или нанометр кратен метру, который является базовой единицей измерения длины в системе СИ.
В метрической системе "нано" является префиксом 10-9.
Меры и единицы длины
Чему равен нанометр в метрах? Нанометр или нанометр кратен метру, который является базовой единицей измерения длины в системе СИ. В метрической системе "нано" является префиксом 10-9. Как перевести нанометры в метры в секунду?
Сколько метров в миле? Нанометр - самая маленькая единица измерения?
Обычно используется... Цинковая соль сероводородной кислоты. Дифракционная решётка — оптический прибор, действие которого основано на использовании явления дифракции света. Представляет собой совокупность большого числа регулярно расположенных штрихов щелей, выступов , нанесённых на некоторую поверхность. Первое описание явления сделал Джеймс Грегори, который использовал в качестве решётки птичьи перья. Оптическая спектроскопия — спектроскопия в оптическом видимом диапазоне длин волн с примыкающими к нему ультрафиолетовым и инфракрасным диапазонами от нескольких сотен нанометров до единиц микрон. Этим методом получено подавляющее большинство информации о том, как устроено вещество на атомном и молекулярном уровне, как атомы и молекулы ведут себя при объединении... Просвечивающий трансмиссионный электронный микроскоп ПЭМ, англ, TEM - Transmission electron microscopy — устройство для получения изображения ультратонкого образца путём пропускания через него пучка электронов.
Ультратонким считается образец толщиной порядка 0,1 мкм. Прошедший через образец и провзаимодействовавший с ним пучок электронов увеличивается магнитными линзами объективом и регистрируется на флуоресцентном экране, фотоплёнке или сенсорном приборе с зарядовой связью на ПЗС-матрице... Различают следующие виды дихроизма... Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны процесс возможен только для химически... Гетероструктура — термин в физике полупроводников, обозначающий выращенную на подложке слоистую структуру из различных полупроводников, в общем случае отличающихся шириной запрещённой зоны. Между двумя различными материалами формируется гетеропереход, на котором возможна повышенная концентрация носителей, и отсюда — формирование вырожденного двумерного электронного газа. В отличие от гомоструктур обладает большей гибкостью в конструировании нужного потенциального профиля зоны проводимости и валентной... Монохроматическое излучение формируется в системах, в которых существует только один разрешённый электронный переход из возбуждённого в основное состояние. Фотохимические реакции — химические реакции, которые инициируются воздействием электромагнитных волн, в частности — светом.
Примерами фотохимических реакций являются... Инфракрасный спектрометр — прибор для регистрации инфракрасных спектров поглощения, пропускания или отражения веществ.
А воспроизведение таких природных явлений, как чешуйки на лапках геккона и не пропускающая влагу поверхность цветка лотоса, с точностью до нанометра позволили повторить эти уникальные явления природы в промышленности», — рассказал Аслан Кашежев. Проект «Классная Тема! Прошлым летом в отборочном этапе телешоу приняли участие 6 тыс. По условиям конкурса, финалисту нужно было провести на сцене, непосредственно перед живой аудиторией незабываемый и зрелищный урок по собственному предмету.
Также стоит отметить, что в нанотехнологии возможно создание и манипулирование объектами на наномасштабе, например, синтез и управление наночастицами или построение наноструктур с определенными свойствами. В целом, нанометр является очень маленькой единицей измерения длины и играет важную роль в современной науке и технологии, особенно в областях, связанных с микроэлектроникой и нанотехнологиями.
Из Н в Нм (перевести силу в Ньютонах в момент в Ньютон-метры)
| Преобразовать нм в м (нанометр в Метр) | Решение: 1 метр = 10 9 нанометров Настройте преобразование так, чтобы желаемая единица была отменена. |
| Нанометры в миллиметры | метр эксаметр петаметр тераметр гигаметр мегаметр километр гектометр декаметр дециметр сантиметр миллиметр микрометр микрон нанометр пикометр фемтометр аттометр мегапарсек килопарсек парсек световой год астрономическая единица лига морская лига (брит. |
| Перевод нанометров в метры - фото сборник | Советы по преобразованию нанометров в метры Помните, что если вы работаете с экспонентами, вы просто добавляете «9» к значению в метрах, чтобы получить ответ в нанометрах. |
| Nanometre - Wikipedia | нанометр (нм) это сколько в метрах (м) онлайн конвертер, калькулятор. |
Калькулятор мер Площади
| Конвертер метров в нанометры и обратно | Перевод объёма газа осуществляется в следующие единицы. |
| Нанометры в метры - 87 фото | Онлайн конвертер для перевода нанометров в миллиметры, нанометр в микрометры, нанометр в сантиметр, нанометр в микрон, нанометр в ангстрем и другие единицы измерения длины. |
| Нанометров в Метров | Нанометр, нм * нанаметр, нм * nanometer or nm единица длины, равная 10 Е, или 10 9 м. |
Единицы измерения длины
Конвертер метров в нанометры и обратно позволяет легко и быстро перевести значения длины из метров в нанометры и обратно. метр эксаметр петаметр тераметр гигаметр мегаметр километр гектометр декаметр дециметр сантиметр миллиметр микрометр микрон нанометр пикометр фемтометр аттометр мегапарсек килопарсек парсек световой год астрономическая единица лига морская лига (брит. Один нанометр приблизительно равен условной конструкции из десяти молекул водорода, выстроенных в линию, если за молекулу водорода принять два боровских радиуса.
Как перевести нанометры в метры?
Перевод: квадратных метров в квадратные миллиметры, сантиметры, дециметры, километры, микрометры, нанометры, гектары, ары, футы, ярды, дюймы, мили, акры, руды, десятины, версты, аршины и обратно. 6. Перевод из нанометров (нм) в метры (м). как перевести метры в нанометры!? как перевести метры в нанометры!?, зная что 1нм=10 в минус девятой степени). Перевод объёма газа осуществляется в следующие единицы. 1 метр = 1000000000 нанометров (нм). Изображение с названием Конвертировать нанометры в метры, шаг 02.
Конвертер единиц расстояния и длины
Regardless which of these possibilities one uses, it saves one the cumbersome search for the appropriate listing in long selection lists with myriad categories and countless supported units. All of that is taken over for us by the calculator and it gets the job done in a fraction of a second. Mathematical expressions Furthermore, the calculator makes it possible to use mathematical expressions. But different units of measurement can also be coupled with one another directly in the conversion. The units of measure combined in this way naturally have to fit together and make sense in the combination in question. Mathematical functions The mathematical functions sin, cos, tan and sqrt can also be used. For example, 1.
Единая британская система единиц измерений была введена в 1824 г. Старая версия единиц длины в США сохранилась под названием «Межевые единицы». Великобритания с 1995 г.
Микрометр — это метрическая единица измерения длины, равная 0,001 мм или примерно 0,000039 дюйма. Его символ — мкм. Микрометр обычно используется для измерения толщины или диаметра микроскопических объектов, таких как микроорганизмы и коллоидные частицы. Микрометр может быть сокращен как мкм; например, 1 микрометр можно записать как 1 мкм. Для чего используется нанометр? Нанометры используются для измерения мельчайших вещей, обычно размером с атом или молекулу.
Причем независимые компании, занимающиеся обратной инженерией Reverse engineering , типа Chipworks, смогут легко проверять заявленные значения. Внимательный читатель тут же заметит, что у микроэлектронной отрасли уже есть один интегральный показатель, позволяющий оценить эффективность техпроцесса по плотности транзисторов без привязки к величине нанометров: вышеупомянутая площадь шеститранзисторной ячейки СОЗУ, также являющейся распространенным строительным блоком для микросхем. Число ячеек заметно влияет на общую степень интеграции в виде среднего числа транзисторов на единицу площади кристалла. Тут Intel пошла на компромисс, предложив не отказаться от площади СОЗУ, а сообщать ее отдельно — учитывая, что в разных микросхемах соотношение сумм площадей ячеек памяти и логических блоков сильно отличается. Впрочем, даже с этим учетом на практике пиковая плотность невозможна и по другой причине: плотности тепловыделения. Чипы просто перегреют себя наиболее горячими местами, расположенными слишком близко друг к другу при высокоплотном дизайне. И это еще без учета аналоговых элементов, которые в такие формулы не вписываются в принципе… Уменьшение транзисторов типа FinFET позволило весьма эффективно уменьшать управляющий ток подаваемый на затвор для переключения ростом высоты плавников и уменьшением их шага. С какого-то момента много затворов для высоких частот уже оказываются не столь нужны, и их число тоже можно уменьшить — вместе с числом подходящих к ним дорожек, причем без просадки скорости. Однако не все дальнейшие оптимизации могут быть отображены даже в новой версии формулы. Например, расположение контакта непосредственно над затвором а не сбоку от него снижает высоту ячейки, а использование одного бокового ложного затвора вместо двух для смежных вентилей уменьшает ее ширину. Ни то, ни другое в формуле не учитывается, что и было формальной причиной для перехода на подсчет мегатранзисторов логики на квадратный миллиметр. Самая свежая из нынешних технологий литографии — ЭУФ экстремальный ультрафиолет. Она использует длину волны 13,5 нм, ниже которой пока коммерчески пригодной дороги нет. А это значит, что размеры чего-либо на кристалле скоро совсем перестанут уменьшаться. Чиподелам, производящим логику особенно процессоры и контроллеры , придется подсмотреть у своих «пекущих» память коллег технологии монолитной объемной компоновки, располагающие транзисторы а не только связывающие их дорожки слоями. В результате удельная плотность транзисторов на единицу площади будет расти уже с числом их слоев. Потому новой идеей было переопределение буквы T в формуле с «Tracks» на «Tiers», на которую надо не умножать, а делить. Кстати, предложил это тот же Паоло Гарджини, ныне ставший главой IRDS IEEE International Roadmap for Devices and Systems — организации «международного плана для приборов и систем» и преемницы почившей в бозе ITRS, собрания которой стали бессмысленными вследствие кризиса общего целеполагания мировой полупроводниковой отрасли и ввиду предсказания остановки уменьшения размеров транзисторов уже в 2028 г. С момента предложения формулы Бора прошло три года, и без труда можно заметить на примере Intel и AMD — двух крупнейших производителей процессоров, сообщающих о своих новинках хоть сколько-нибудь подробно , что компании не перестали расхваливать свои чипы с упоминанием пресловутых нанометров. Зато Intel и AMD за это время поменялись местами: Intel, кажется, уже отчаялась доделать свой техпроцесс 10 нм и раздумывает над переходом сразу на что-то еще меньшее неважно, с какой цифрой ; зато AMD рекламирует свои новые процессоры архитектуры Zen2 как носящие 7-нанометровые транзисторы, подчеркивая преимущество над конкурентом. Свежайший пример нелинейного улучшения плотности — параметры процессоров точнее — SoC, однокристальных систем для игровых приставок Microsoft серии XBox. А следующий переход к 7 нм должен был дать аж 5-кратное уплотнение, но выдал только 2,3 раза. Цена процессора при этом не забывала расти. Год назад, видя такие дела, в университете Беркли Калифорния, США собрались видные теоретики микроэлектроники в том числе все три изобретателя «финфетов»: Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu и Jeffrey Bokor и… Да-да, нетрудно догадаться: они предложили новую, очереднадцатую метрику.