По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4.
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
| Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ | Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. |
| Модуль памяти KingBank DDR5 RGB 16GBx2 6400 MHz | Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. |
| Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL - новости электроники | Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. |
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации. О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
Предполагается, что этот формат памяти будет использоваться в ультратонких ноутбуках и других небольших устройствах. Среди его достоинств выделяют упрощенное подключение микросхем памяти к ее контроллерам, более быстрое двухканальное подключение и меньшие размеры модулей. Формат будет доработан только к концу 2023 года. Однако Adata уже показала первые модули.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
Рынок Модулей Памяти
На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт.
Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ. Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung.
Возможно, вскоре другие участники рынка также будут готовы представить открытые данные о производстве своей продукции. Поделитесь с друзьями.
Нынешний анонс не означает немедленный запуск в массовое производство 32-Гбит микросхем. Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года. Увеличение ёмкости серийно поставляемых чипов до 32 Гбит позволит производителям памяти перейти к выпуску массовых модулей DDR5 объёмом 64 Гбайт и серверных моделей объёмом вплоть до 1 Тбайт. На данный момент производители памяти, такие как SK hynix и Micron, предлагают лишь 24-Гбит чипы DDR5, что позволяет создавать массовые модули с объемом до 96 Гбайт, но Samsung поднимает ёмкость на ступеньку выше, предлагая на треть более плотное решение.
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3. Модули поддерживают напряжение от 1,1 до 1,35 В.
Формат будет доработан только к концу 2023 года. Однако Adata уже показала первые модули. Модуль содержит энергонезависимую память типа 3D NAND, которая может хранить данные даже без подключения к источнику питания.
Новый стандарт отлично подойдет для расширения хранилища серверов, а также некоторых компьютеров.
Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ.
Память FeRAM выпускается вот уже на протяжении двух десятков лет. Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила.
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | | Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. |
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. Наращивание объёмов памяти в современных серверных системах может вылиться в серьёзные затраты — от модулей ёмкостью 32 Гбайт приходится переходить сразу к. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.
Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб.
Старт продаж и продвижение на рынок данных модулей должно начаться с выходом материнских плат на базе чипсетов Intel Z390 и процессоров Intel Core 9-го поколения. Похожие новости из раздела:.
Такую же тенденцию наблюдаем и при кодировке видео с помощью HandBrake, на этот раз хоть без аномалий. Производительность ограничивается возможностями процессора, а на результат больше влияет активность фоновых процессов, чем пропускная способность ОЗУ или ее задержки. Те подтесты пакета 3DMark, ограничивающиеся возможностями видеокарты, со всеми конфигурациями ОЗУ обеспечивают схожую производительность. Даже модуль-одиночка почти не отстает, а то и помогает получить такой же результат. А как будет в реальных играх, сейчас узнаем.
В таких условиях ограничением быстродействия стало что-то незримое, надеемся ОЗУ, потому что по мониторингу и видеокарта не загружена на полную и у процессора только несколько ядер задействовано с высокой загрузкой. Наилучший результат показал 32 ГБ комплект, а небинарные незначительно отстали от него: по статистике от полутора процентов до почти пяти, тогда как по средней частоте кадров более шести. Правда, без подробной телеметрии эту разницу никто бы и не заметил. Если же настройки графики будут приближенными к реальности, например, те же ультра без апскейлеров и уже в целевой для видеокарты разрешении Quad HD, то даже с мониторингом разница в производительности будет на уровне статистической погрешности. Здесь и одноканальный режим уступает от 2 до 4 FPS наилучшим показателям, что в геймплее вообще незаметно. Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120.
Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022. Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое. Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными.
Результаты экспериментов, изложенные в статье в научном журнале Optics Communications, показали, что система может находиться в таком состоянии до следующего информационного сигнала. В дальнейшем, мы планируем использовать этот принцип для создания оптической ячейки памяти. Совокупность таких ячеек является основой для создания быстродействующих оптических запоминающих устройств.
Понимание таких нелинейных эффектов — это важный шаг в направлении создания фотонных интегральных схем», — поясняет Андрей Никитин.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом. Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже.
Важно отметить, что модули TSV с 8 стеками будут предлагать лучшие возможности охлаждения. Это огромное увеличение по сравнению с памятью DDR4, которая в большинстве случаев предлагается с максимальной емкостью 32 и 64 ГБ с ограниченным предложением модулей 128 или 256 ГБ на рынок серверов.
При этом стандарт сохраняет модульность, то есть возможность обновления. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC недавно официально принял спецификации нового поколения модулей оперативной памяти, получивший название CAMM2. Они добавили, что разработка таких решений уже ведётся, но каких-либо деталей об этом не предоставили. Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти.
Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120. Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p.
Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022. Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое. Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными. Так как полное удвоение плотности микросхем оперативной памяти до 32 Гбит планируется только в 2025 году, в этом году производители чипов представили промежуточный 24-гигабитный вариант. Теоретически можно ожидать и 12-гиговые или невероятные 192 ГБ, однако наиболее популярными должны стать именно те, что использовались в тестах, варианты комплектами на 48 и 96 ГБ.
Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Учитывая постоянно растущие аппетиты программного обеспечения и игр к ОЗУ, это должно стать основным преимуществом нового поколения «оперативки». Однако такое улучшение имеет и некоторый негативный эффект — усложнение организации чипов, похоже, привело к едва заметно увеличенным внутренним задержкам. То есть даже при одинаковых базовых таймингах, по сравнению с классическими бинарными модулями, использование небинарных обычно приводит к небольшой потере производительности. Возможно, когда понадобится больше временного пространства, тогда уже будет заметен обратный эффект. К тому же, использование двухранговых модулей небинарной памяти в общем несколько уменьшает потерю производительности, а суммарно подобных комплектов хватит с запасом на годы вперед. Так что если вы собираете ПК под тяжелые задачи, или просто не привыкли закрывать лишние приложения, включая браузер на полсотни вкладок, то обратите внимание на новую небинарную оперативную память. У нас с их эксплуатацией не возникло никаких проблем уже сейчас.
«Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
- Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания
- В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
- Релизы игр:
- GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
| Samsung представила свои первые модули памяти GDDR7 для видеокарт / Хабр | На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. |
| Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4? | В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. |
Серверные модули памяти от MMY
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в.