Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году. В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе. Новый модуль Samsung успешно прошел тестирование на серверных платформах Intel следующего поколения. Кроме того, Samsung сотрудничает с центрами обработки данных и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в большей емкости памяти.
Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC недавно официально принял спецификации нового поколения модулей оперативной памяти, получивший название CAMM2. Они добавили, что разработка таких решений уже ведётся, но каких-либо деталей об этом не предоставили. Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти. Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт.
Мы расширили наш ассортимент модулей памяти высокой ёмкости D5 DRAM монолитным модулем на 128 ГБ и начали отправку образцов клиентам для поддержки их потребностей в области ИИ. Ожидаем доходы от этого продукта во 2 квартале 2024 года. Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов.
Те подтесты пакета 3DMark, ограничивающиеся возможностями видеокарты, со всеми конфигурациями ОЗУ обеспечивают схожую производительность. Даже модуль-одиночка почти не отстает, а то и помогает получить такой же результат. А как будет в реальных играх, сейчас узнаем. В таких условиях ограничением быстродействия стало что-то незримое, надеемся ОЗУ, потому что по мониторингу и видеокарта не загружена на полную и у процессора только несколько ядер задействовано с высокой загрузкой. Наилучший результат показал 32 ГБ комплект, а небинарные незначительно отстали от него: по статистике от полутора процентов до почти пяти, тогда как по средней частоте кадров более шести. Правда, без подробной телеметрии эту разницу никто бы и не заметил. Если же настройки графики будут приближенными к реальности, например, те же ультра без апскейлеров и уже в целевой для видеокарты разрешении Quad HD, то даже с мониторингом разница в производительности будет на уровне статистической погрешности. Здесь и одноканальный режим уступает от 2 до 4 FPS наилучшим показателям, что в геймплее вообще незаметно. Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120. Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022. Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое. Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными. Так как полное удвоение плотности микросхем оперативной памяти до 32 Гбит планируется только в 2025 году, в этом году производители чипов представили промежуточный 24-гигабитный вариант. Теоретически можно ожидать и 12-гиговые или невероятные 192 ГБ, однако наиболее популярными должны стать именно те, что использовались в тестах, варианты комплектами на 48 и 96 ГБ.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время.
Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных. Это, в свою очередь, приведет к необходимости создания более сложных кодов коррекции ошибок. Перевод: Mikhail R по заказу РадиоЛоцман.
Samsung представляет безумно быстрые модули памяти DDR5-7200 с емкостью 512 ГБ, которые начнут массовое производство в конце этого года Благодаря оптимизированной упаковке Samsung планирует выпускать пакеты с восемью стеками и меньшей высотой, чем память DDR4 с четырьмя стеками. Важно отметить, что модули TSV с 8 стеками будут предлагать лучшие возможности охлаждения.
Однако для DDR5 появилась промежуточная плотность — 24 Гбит, поэтому эту память также называют "небинарной" и ее уже можно найти на прилавках наших магазинов. Давайте и мы познакомимся с такой ОЗУ поближе. Чтобы повысить плотность чипов DRAM, производителям нужно постоянно усовершенствовать их конструкцию и уменьшать технологический процесс. Именно это позволяет увеличить количество ячеек памяти в пределах того де самого корпуса, как у предыдущего поколения.
Таким образом, выпуск обновленных модулей не требует кардинальных изменений в печатной плате. То есть выглядят они так же, как традиционная бинарная ОЗУ, разве что ее объем немного необычен. Поэтому и по совместимости с уже существующими платформами проблем не должно возникнуть, возможно только BIOS придется обновить. В ассортименте компании Kingston небинарная оперативная память представлена отдельными модулями на 24 и 48 ГБ, а также комплектами до 96 ГБ, как с RGB подсветкой, так и без нее.
При этом менее емкие планки и комплекты работают на эффективных частотах от 6000 до 7200 мегатранзакций в секунду и имеют одноранговую организацию. Производительность «старших» уже двухранговых модулей ограничена на уровне 6400 мегатранзакций. Именно на примере комплектов с такой частотой мы и будем производить практические испытания новинки. За улучшение температурного режима отвечает довольно габаритный черно-серебристый алюминиевый радиатор, который точно не лишний, потому что под высокой нагрузкой любое ОЗУ формата DDR5 заметно нагревается.
Но наличие охлаждения не сильно увеличивает высоту планок, только до 39,2 мм, что позволит использовать их с большим количеством систем охлаждения. Технически это одноранговые модули, то есть физически чипы есть только с одной стороны печатной платы и логика обращения к ним такая же. Автоматически в системе они идентифицируются как DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 при стандартном напряжении питания 1,1 В. Благодаря поддержке расширенных профилей Intel XMP 3.
Но под радиатором скрываются двухранговые платы, что говорит о расположении чипов с обеих сторон, а логика работы с ними напоминает виртуальный двухканальный режим. Вот и посмотрим, как это повлияет на производительность. Тем более другие основные характеристики у комплекта такие же, как по количеству «вшитых» рабочих профилей, так и по их частотам, основным задержкам и напряжению питания. Он такой же одноранговый, как и младший небинарный, имеет идентичные XMP-профили, поэтому это идеальный оппонент среди имеющихся у нас.
Тестирование проводилось в первом режиме, использовался бенчмарк SPECworkstation 3. Как отмечается, «конкурентом» выступил NVMe-накопитель Intel 905p. В CrystalDiskMark 7 данные выглядели так: Отметим, что это был прототип.
Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб.