Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений.
Подписка на дайджест
- "Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
- Газета «Суть времени»
- Модуль памяти KingBank DDR5 RGB 16GBx2 6400 MHz
- Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
- Про планы и перспективы
- Оперативная память ⭐ новости, стандарты, технологии на
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Вечерний 3DNews Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий. Материалы по теме.
IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды.
Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше. При дальнейшем сужении стенок, хранящие информацию электроны будут способны проникать в соседние ячейки, порождая ошибки данных. Это, в свою очередь, приведет к необходимости создания более сложных кодов коррекции ошибок.
Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Память нового поколения: какая она
Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули. По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ.
Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1». Таким образом записывается информация. Результаты экспериментов, изложенные в статье в научном журнале Optics Communications, показали, что система может находиться в таком состоянии до следующего информационного сигнала. В дальнейшем, мы планируем использовать этот принцип для создания оптической ячейки памяти.
Важно отметить, что модули TSV с 8 стеками будут предлагать лучшие возможности охлаждения. Это огромное увеличение по сравнению с памятью DDR4, которая в большинстве случаев предлагается с максимальной емкостью 32 и 64 ГБ с ограниченным предложением модулей 128 или 256 ГБ на рынок серверов.
Модуль реализован на основе 14-нм технологии и обеспечивает в 1. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP).
Статьи на тему: Оперативная память
Sukhoi SuperJet-100 отправился в свой второй демонстрационный полет с индонезийского аэродрома Халим в Джакарте в 11:21 мск 9 мая. По предварительным данным, связь с самолетом пропала через 29 минут. Согласно предварительным данным, самолет ударился о скалу.
В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт. В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам. В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти. Аппарат должен выйти с оперативной памятью емкостью 20 гигабайт.
Область применения: в подземных выработках и на поверхности угольных и горнорудных предприятий.
Аппарат защиты конструктивно выполнен в отдельной взрывонепроницаемой оболочке и может воздействовать на независимый расцепитель автоматического выключателя. ПЗУ для ГФ-05 комплект 12шт. Основная на ЭКГ. ЧСС 3. SТ1 SТ2 4. М10 8.
Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах. Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных. И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании.
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. Главная» PC News» Производители оперативной памяти готовят модули ОЗУ нестандартных объёмов — 24, 48 и 96 гигабайт. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ.
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
Устройство емкостью 512 гигабайт может обеспечивать скорость обработки данных до 7,2 гигабит в секунду при напряжении 1,1 вольт. По информации Samsung, новый формат превосходит DDR4 по четырем показателям — производительность, скорость, емкость и мощность. Инженеры корпорации заявили, что по сравнению с форматом DDR4 новая память обеспечивает увеличение производительности на 40 процентов, скорости — в 2,2 раза. Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением.
В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC. На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране.
На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж.
Но Micron, судя по всему, эту проблему решила. Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года.
Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5.
Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры
Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием PMIC , стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку.
Общие положения и условия 2. Любые материалы, файлы и сервисы, содержащиеся на Сайте, не могут быть воспроизведены в какой-либо форме, каким-либо способом, полностью или частично без предварительного письменного разрешения Компании, за исключением случаев, указанных в настоящем Соглашении. При воспроизведении Пользователем материалов Сайта ссылка на Сайт обязательна, при этом текст указанной ссылки не должен содержать ложную, вводящую в заблуждение, уничижительную или оскорбительную информацию. Перевод, переработка модификация , любое изменение материалов Сайта, а также любые иные действия, в том числе удаление, изменение малозаметной информации и сведений об авторских правах и правообладателях, не допускается. Компания вправе в любое время в одностороннем порядке изменять условия настоящего Соглашения. Такие изменения вступают в силу по истечении 2 двух дней с момента размещения новой версии Соглашения в сети Интернет на Сайте. При несогласии Пользователя с внесенными изменениями он обязан удалить все имеющиеся у него материалы Сайта, после чего прекратить использование материалов и сервисов Сайта. Ваше регулярное посещение данного Сайта считается вашим убедительным принятием измененного соглашения, поэтому Вы обязаны регулярно просматривать настоящее Соглашение и дополнительные условия или уведомления, размещенные на Сайте.
Обязательства Пользователя 3. Любые средства индивидуализации, в том числе товарные знаки и знаки обслуживания, а равно логотипы и эмблемы, содержащиеся на страницах Сайта, являются интеллектуальной собственностью их правообладателей. Компания стремится обеспечить, однако не контролирует и не гарантирует конфиденциальность и охрану любой информации, размещенной на Сайте или полученной с Сайта. Компания принимает разумные меры в целях недопущения несанкционированного разглашения размещенной Пользователем на Сайте информации третьим лицам, однако не несет ответственность в случае, если такое разглашение было допущено. В этой связи, передача информации на Сайт означает согласие Пользователя на любое воспроизведение, распространение, раскрытие и иное использование такой информации.
Ранее мы писали о том, что JEDEC приняла новый стандарт, а значит производители готовы к промышленному производству памяти нового поколения. Максимальная эффективная частота новых чипов 32 ГГц, в планах — рост до 37 ГГц, однако первые видеокарты, которые получат новую память, будут работать на частоте 28 ГГц. Новая память значительно увеличит производительность как игровых, так и вычислительных решений от производителей графических ускорителей, то есть затронет все сегменты существующего рынка. Существенным отличием GDDR7 от предшественников является внедрение интерфейса импульсно-амплитудной модуляции сигнала PAM во время исполнения высокочастотных операций.
Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 2023—2024 годов.