Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти.
GIGABYTE выпускает обновления BIOS материнской платы для поддержки процессоров Ryzen 9000.
- Samsung разработал модуль памяти DDR4 -
- Samsung выпустила модуль оперативной памяти на 512 гигабайт: Гаджеты: Наука и техника:
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- По тегу: модуль памяти
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC недавно официально принял спецификации нового поколения модулей оперативной памяти, получивший название CAMM2. Они добавили, что разработка таких решений уже ведётся, но каких-либо деталей об этом не предоставили. Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти. Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт.
В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link. Используя инновационные технологии проектирования и производства чипов, производитель памяти надеется сделать модуль новым эталоном энергоэффективной памяти для центров обработки данных с высокой пропускной способностью. Только дальнейшее внедрение и тестирование в реальных условиях определит, удастся ли полностью реализовать эти высокие показатели эффективности, скорости и емкости.
Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung. Возможно, вскоре другие участники рынка также будут готовы представить открытые данные о производстве своей продукции. Поделитесь с друзьями.
Современные электронные вычислительные машины подходят к пределу своих возможностей по соотношению производительности к энергозатратам. Поэтому научные группы по всему миру разрабатывают логические интегральные схемы на альтернативных принципах, которые будут более компактными, энергоэффективными и быстродействующими.
Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света. Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов.
Точные данные о скорости передачи данных не раскрываются, но, учитывая опыт компании , можно ожидать, что она нас не разочарует. Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
Это позволяет серверу масштабироваться до десятков терабайт с одной пятой системной задержки по сравнению с модулем CXL предыдущего поколения.
Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL. Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой.
Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря. Российский фронтовой бомбардировщик Су-24, принимавший участие в воздушной операции против боевиков ДАИШ, был сбит с турецкого истребителя F-16 ракетой типа "воздух-воздух" над территорией Сирии 24 ноября. Анкара заявила, что российский самолет якобы вошел в ее воздушное пространство. В Генштабе ВС РФ сообщили, что атакованный Су-24 границу с Турцией не пересекал, что подтверждается данными сирийской противовоздушной обороны.
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ. Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Это модуль оперативной памяти DDR5, предназначенный для задач искусственного интеллекта, а также различных высокопроизводительных вычислений. Он может быть использован в центрах обработки данных и облачных серверах. Известно, что разработка CXL началась еще в 2019 году.
Согласно предварительным данным, самолет ударился о скалу. На его борту, по данным компании "Гражданские самолеты Сухого" ГСС , находились 45 человек, в том числе восемь россиян, четверо из которых — члены экипажа. Поисковая операция на месте катастрофы продолжается.
Согласно предварительным данным, самолет ударился о скалу. На его борту, по данным компании "Гражданские самолеты Сухого" ГСС , находились 45 человек, в том числе восемь россиян, четверо из которых — члены экипажа. Поисковая операция на месте катастрофы продолжается.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.
Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов.
Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах.
По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб. Старт продаж и продвижение на рынок данных модулей должно начаться с выходом материнских плат на базе чипсетов Intel Z390 и процессоров Intel Core 9-го поколения.
На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт. В дальнейшем планируется начать производство восьмикристальных модулей памяти емкостью 1 Тбайт.
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). |
| Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти | Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. |
| Samsung разработал модуль памяти DDR4 - | Смотрите видео канала Рынок Модулей Памяти (35133279) на RUTUBE. |
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung. Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового.
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
| SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс | Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. |
| IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack | Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. |
| Представлен полностью китайский модуль памяти DDR4 — Talks — Форум | Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. |
| RU190135U1 - МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ - Яндекс.Патенты | Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители. |
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Современные электронные вычислительные машины подходят к пределу своих возможностей по соотношению производительности к энергозатратам. Поэтому научные группы по всему миру разрабатывают логические интегральные схемы на альтернативных принципах, которые будут более компактными, энергоэффективными и быстродействующими. Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света.
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов. Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Трансформация на рынке центров обработки данных должна произойти раньше, поэтому Samsung планирует производить модули DDR5-7200 емкостью 512 ГБ до конца этого года.
Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных. Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели.
Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году. В отличие от обычной памяти на базе DDR, каналы которой ограничены, емкость модуля DDR5 Samsung с поддержкой CXL может быть увеличена до терабайтного уровня, значительно сокращая вызванные кэшированием задержки в работе.
Устройства и решения для хранения данных
- Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение — Игромания
- «Подарок» от Dell
- Про первую DDR5 для ПК
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
- Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Память нового поколения: какая она
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. |
| Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 | Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. |
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году.