Новый стандарт оперативной памяти оказался эффективнее, чем DDR4. Тегикалькулятор таймингов оперативной памяти ddr3, максимальный объем памяти ддр3, pc2 6400 ddr2 какая частота, проверка оперативной памяти ddr3 мультиметром, почему не подходит оперативная память ddr3. Оперативная память DDR4 с объемом 8 Гб и форм-фактором SODIMM – хороший вариант для реанимации ноутбуков и портативных настольных сборок.
Обзор на бюджетную оперативную память Patriot Signature DDR4 2400Mhz 8GB (PSD48G240081)
Правда более ощутимо это не для персональных компьютеров, а для мощных серверов. Диапазон тактовой частоты значительно увеличился. DDR4 сегодня начинает свой диапазон с 2133 Мгц и заканчивает на 4400 Мгц. Причем это еще не предел. Что лучше? Итак, мы выяснили, что DDR4 гораздо экономичнее и намного быстрее всех своих предшественников. Невероятно, но это так.
С чем связана такая странность? Существует такая известная характеристика любого ОЗУ как тайминги оперативной памяти. Чем ниже данный показатель, тем скорость ОЗУ больше. К сожалению, тайминги у памяти DDR4, из-за специфики архитектуры, выше, нежели у более старого стандарта. Благодаря этому DDR3 выигрывает новинку в тестах при одинаковой тактовой частоте. Таким образом, выбирать оперативную память ddr4 необходимо с учетом целого ряда факторов, которые влияют на общую производительность модуля памяти.
Пользователей компьютера часто интересует совместимость новой и старой оперативной памяти. К сожалению, об этом не может быт и речи. Просто посмотрите на форму ОЗУ-планок более внимательно и вы увидите, что они все-таки отличаются. Также здесь большую роль играет специальная выемка, или так называемый ключ, который находится на стороне с выходными контактами. У каждого стандарта ОЗУ он в разных местах. Таким образом пресекаются любые попытки вставить модуль ОЗУ не в родной слот.
Правда есть один маленький нюанс. Поэтому вы сможете вставить в одну материнку разные стандартны ОЗУ. Но лишь в их родные слоты.
Однако, некоторые задачи, включая определенные игры и приложения, могут эффективно использовать более высокую пропускную способность данных. Например, программы сжатия файлов предпочитают быструю память. Выгода от повышения частоты памяти для процессоров AMD на базе Zen весьма заметна. Увеличение скорости памяти на платформах AMD Ryzen и Threadripper часто приводит к реальному повышению производительности.
В играх это выражается в более высоких кадровых частотах при основных разрешениях, таких как 1080p 1920 x 1080 и более плавной работе при более высоких разрешениях. Однако количество дополнительных кадров, которые вы получите при использовании более быстрой оперативной памяти, будет значительно различаться в зависимости от конкретной игры. Если вы играете со встроенной графикой, скорость памяти играет важную роль. Встроенный графический движок, доступный в большинстве процессоров для игр, не имеет отдельной памяти, как у дискретных видеокарт. Поэтому более быстрая оперативная память также повышает производительность. Однако, не всегда стоит покупать самую быструю оперативную память, чтобы достичь стабильной частоты кадров. В таких случаях лучше приобрести более медленную системную память и отдельную видеокарту.
В целом, лучшая оперативная память обычно является самой быстрой, если вы играете без отдельной видеокарты, используете систему AMD Ryzen и в некоторых случаях, с чипами Intel. Рекомендации при выборе Для многих пользователей, 16 ГБ остаются наиболее подходящим вариантом.
Без нюанса не обошлось и здесь — для двухканального режима работы необходимо два идентичных по характеристикам модуля памяти от одного производителя.
Многие вендоры предлагают комплекты такой памяти — одинаковой и гарантированно работающей в этом режиме. Бывает, что такие комплекты стоят дороже, чем аналогичные модули, но вне комплекта. Вестись на «сборные» предложения не обязательно, достаточно купить идентичные планки одной серии проверяйте маркировку.
Чтобы двухканальный режим заработал, память надо установить в «правильные» слоты на материнской плате. Обычно они обозначены одним цветом и размещаются через один. Например, синие 1-й и 3-й слоты, а также черные 2-й и 4-й.
Будет ли от этого хоть какая-то польза? На такой высокой частоте и напряжение больше — 1,5 В, а также тайминги не самые лучшие. Хотя в данном случае CL19 — это норм, ибо бывают и модули на 3200 с CL22.
Из минусов — это одноранговые модули. То есть 8 чипов памяти расположены только с одной стороны планки, а другая — пустая. В играх такая компоновка может на несколько процентов снизить быстродействие, чем у двухрангового набора на той же частоте. Но ведь здесь она на 1 ГГц выше!
Вот и посмотрим, что это даст. Да, латентность не лучшая, но за минус 1-2 наносекунд иногда просят в 1,5, а то и 2 раза больше денег. На основе этих одноранговых модулей мы также смоделируем еще два промежуточных варианта. Так сказать — более доступных.
Поэтому 4-й вариант — это те же 2 по 16 ГБ, но на рабочей скорости 5600 МГц. То есть речь идет, как раз о заявленной гарантированной частоте для платформы LGA 1700. И, наконец-то, 5-й вариант, у которого мы снизим скоростную производительность до отметки в 4800 МГц. Здесь мы лучше увидим разницу между поколениями.
Потому что оба одноранговые, имеют по 8 чипов на планке и всего 200 МГц разницы. Только объем разный: у «четверки» 16 ГБ, а у «пятерки» — 32. И еще хотим сделать две важные ремарки, которые нужно знать. Второй важный нюанс.
Вот об этом не все знают или забывают. В работе оперативной памяти еще задействован соответствующий контроллер, находящийся внутри процессора. А у него также есть своя частота и делители, изменяющиеся в зависимости от скорости ОЗУ. Например: DDR4-3600.
Реальная частота модулей — 1800 МГц, контроллер процессора также имеет 1800 МГц с делителем — 1 до 2. Когда устанавливаются модули DDR4-4600, процессор уже переключается на делитель с 1 до 4. То есть замедляет свой контроллер с 1800 МГц до 1150 МГц. А это в свою очередь несколько отражается на скорости работы с памятью.
С DDR5 уже упомянутый контроллер тоже работает с делителем 1 до 4. То есть факторов, влияющих на конечную скорость ОЗУ действительно много. Но не пугайтесь, скоро на примере реальных тестов мы вам все разложим по полочкам и вы узнаете о лучшем варианте за свои деньги. А пока для понимания контекста давайте посмотрим на какой системе работали все модули ОЗУ.
В каких условиях тестировались? На роль процессора выбрали достаточно мощный Intel Core i5-13600K, который имеет 6 производительных ядер с поддержкой многопоточности и 8 экономных без нее. Почему его? С другой стороны, у старших i7 и i9 больше кэша разных уровней, поэтому они менее зависимы от скорости модулей памяти, да и берут к ним обычно наиболее производительную.
Как выбрать оперативную память
Все мы привыкли видеть на 8-гигабайтных модулях DDR4 8 чипов по Гигабайту каждый. Но бывают и модули с четырьмя 2 ГБ чипами. И они знатно хуже. Простыми словами: чем больше чипов памяти, тем лучше. Пока ячейки в одном чипе перезаряжаются, отрабатывает другой. Вспомните ту же двуранговую память, где схожим образом чередуются ранги. Соответственно, надо бы разобраться и с этим аспектом на DDR5.
Поэтому сравним 4 конфигурации: 2 модуля по 8 ГБ, 4 по 8, 1 на 16 и 2 по 16. Интересный момент: покупались все 4 модуля по отдельности, и у двух из них в SPD указаны чипы Samsung, а у двух других - чипы Hynix. При этом если взглянуть на сами чипы, то везде видны лишь Samsung, что в очередной раз подтверждает нецелесообразность определения не только ревизии, но и производителя чипов программным методом. О разгоне поговорим во второй половине обзора. И это не могло не сказаться как на пропускной способности памяти, так и на латентности. Пары модулей разных объёмов демонстрируют те самые последствия использования меньшего количества чипов в модуле.
Один же модуль на 16 ГБ имеет схожую латентность с двумя, но пропускная способность у него ниже почти в 2 раза. Для Premiere Pro пропускная способность памяти невероятно важна, поэтому двухканал тут в аутсайдерах, а 4 модуля с низкочастотным JEDEC немного позади. Синтетика была на разогреве, основное сравнение проведём в играх. Тесты в играх Call of Duty: Warzone. Настройки киберспорт, тесты многократно повторялись и усреднялись, а запись велась картой захвата со второго компьютера. Ситуация близка к оной в GeekBench.
Даже 1 модуль не так сильно позади. CyberPunk 2077.
Далее по тексту - модуль оперативной памяти. Упаковка Оперативная память Patriot упакована в прозрачный пластиковый блистер, сквозь который можно разглядеть сам модуль памяти. На блистере приклеена этикетка с основными характеристиками модуля оперативной памяти. Сбоку на этикетке имеется штрих-код. Распаковка Процесс распаковки прост и интуитивно понятен. Блистер не заклеен и вскрыть его не повредив этикетку большого труда не составило. Сняв верхнюю часть блистера можно добраться до самого модуля оперативной памяти.
Сбоку предусмотрена выемка под палец для удобства извлечения модуля оперативной памяти. Считаю это очень удобным техническим решением. Комплектация и внешний вид Модуль оперативной памяти изготовлен с использованием текстолита черного цвета, что может косвенно свидетельствовать о хорошей возможности разгона. Но об этом чуть дальше. На текстолите распаяны восемь чипов оперативной памяти. Маркировка на чипах памяти Patriot. По самим микросхемам памяти информации в интернете найти не удалось.
Оперативка Crucial Ballistix DDR4-3000 выпускается с чёрными, белыми и красными радиаторами, так что её можно подобрать в соответствии со стилем вашей сборки или просто из собственных предпочтений. Алюминиевые радиаторы имеют «игровой» дизайн, но без подсветки. Но если что, для любителей RGB в линейке Ballistix имеются модули с подсветкой. На обоих сторонах радиатора посередине имеется надпись Ballistix, а внизу с одной стороны логотип Crucial, а с другой наклейка с характеристиками модуля. Высота радиатора в самом высоком месте 3,3 см, плюс ещё 2 мм расстояния до слота расширения. Итого мы имеем высоту планок три с половиной сантиметра, которая не помешает вам при установке любого воздушного охлаждения, не говоря уже о водяном.
Судя по слайдам «Time to rethink DDR4» [12] , новинка должна иметь и повышенную эффективную частоту от 2 133 до 4 266 МГц , и пониженное напряжение от 1,3 до 1,1 В по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год [13] [14] [15]. В январе 2011 года компания Samsung представила модуль DDR4.
ТОП-11 Лучшая оперативная память DDR4, DDR5 в 2024 году
Оперативная память: НАДЕЖНЫЕ ПРОДАВЦЫ И БРЕНДЫ: Карты microSD, внешние жесткие диски, память RAM (Samsung): Карты microSD, внешние жесткие диски, память RAM (Kingston): 3D очки, проекторы, наушники, к. Смотрите онлайн видео «Купить оперативную память ддр4. Добрый день, подскажите, хватит ли ноутбуку 8 Гб с процессором i5 12450h, конкретно honor magicbook x16, в игры не играем, видео не монтируем, для повседневных. Самый дешевый комплект оперативной памяти для ноутбуков на 16 Гб. Оперативная память для ноутбука ОЗУ Vaseky DDR4 sodimm so-dimm 2666 МГц 8 ГБ pc4-21300. Также компьютеры с 16 ГБ оперативной памяти подходят для современного гейминга.
Как выбрать оперативную память
Рейтинг самых лучших планок оперативной памяти формата DDR4 объемом 4, 8 и 16 Гб. Комплект памяти VENGEANCE Series 8 ГБ (1 x 8 ГБ) DDR4 SODIMM 2400 МГц CL16. выгодная цена в Комус. Данный список лидеров закрывает лучшая оперативная быстрая память ddr4 от фирмы Crucial под названием Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200.
10 лучших модулей памяти DDR4
| Оперативная память DDR5, DDR4 и даже DDR3 резко и сильно взлетела в цене | Лучшие модули оперативной памяти DDR3 на 4 Гб. |
| Эксперты выяснили, сколько «оперативки» нужно смартфону | Самый дешевый комплект оперативной памяти для ноутбуков на 16 Гб. |
| Ddr4 8gb в Ростове-на-Дону | 444 Модуль оперативной памяти емкостью 8 ГБ с частотой 1600 МГц и форм-фактором DIMM. |
| Новости про DDR5 и оперативная память — МИР NVIDIA | Рынок ОЗУ 2024. ТОП лучшей оперативной памяти ddr4 и ddr5 под intel и Amd Ryzen для включения xmp профиля или под разгон. |
Начало новой эпохи. Как работает оперативная память стандарта DDR4
KingSpec Оперативная память Memoria Ram Ddr4 4 ГБ 8 ГБ 16 ГБ 2400 МГц 2666 3200 для ноутбука Memoria RAM DDR4 1,2 В ОЗУ для ноутбука. Оперативная память — один из важных факторов, влияющих на производительность и быстродействие вашего компьютера. Выпущены чипы памяти DDR2 SDRAM объёмом 2 и 4 Гб. Технологии Компьютеры Комплектующие Оперативная память DDR4. Он отметил, что ещё недавно ставший рекордом объём оперативной памяти Android-смартфонов не спешит обновляться. Оперативная память DDR4 sodimm 8Gb 3200MHz Netac B.
Оперативная память DDR4 для ноутбуков
При выборе оперативной памяти DDR4 для видеоигр необходимо обратить внимание на несколько факторов: рекомендуется минимум 16 ГБ для современных ПК, но 32 Гб обеспечит более внушительный буфер памяти, если вы склонны к многозадачности, например, интенсивно используете вкладки в Chrome. Второе, что нужно учитывать — скорость оперативной памяти. Это гарантирует максимальную отдачу от лучших процессоров для компьютерных игр. Скорость памяти гораздо больше влияет на архитектуру AMD на базе Zen. Увеличение скорости оперативки на платформах Ryzen 5 3600, Ryzen 5 2600 или Threadripper часто приводит к увеличению производительности в реальных задачах.
Если материнская плата поддерживает XMP автоматический разгон оперативной памяти , то будет проще настроить улучшенные тайминги. В рейтинг попали модули от популярных производителей компьютерных комплектующих с бесплатной доставкой из интернет-магазинов. Она характеризуется хорошей совместимостью с процессорами Ryzen и Intel. Временная задержка тайминг 17-17-17 обеспечивает большую пропускную способность и отсутствие задержек обработки данных памяти.
Плата соответствует форм-фактору DIMM и подойдет как для полноразмерных корпусов, так и для компактных сборок компьютером для геймеров. Тактовая частота Kingston достигает 2400 МГц и поддерживает возможность разгона. Простой дизайн платы в виде печатной схемы идеально подойдет покупателям, которые хотят установить память в закрытый корпус и не переплачивать за внешний вид. Оперативная память заслужила положительные оценки покупателей и занимает 8 место в рейтинге 2024 года.
При включении желательно загрузить БИОС материнской платы и посмотреть на выставленные по умолчанию настройки. Модуль оперативной памяти запустился с первого раза на базовой частоте 2400 МГц. Напряжение питания у меня было чуть пониженное - 1,184 В при норме - 1,2 В, что все еще нормы. Информация об используемом модуле оперативной памяти Информацию об используемом модуле оперативной памяти можно найти на сайте производителя. Модуль оперативной памяти относится к бюджетному сегменту с наименованием Signature Line. Данная линия оперативной памяти как позиционирует ее производитель отличается исключительным качеством и надежностью, необходимые современным компьютерам. Как считает производитель, эта память позволяет улучшить работу системы при использовании требовательных приложений. Модуль оперативной памяти изготовлен из материалов высочайшего качества, прошел тестирование в ручную, и соответствует отраслевым стандартам, либо их превосходит. Тестирование модуля оперативной памяти Тестирование модуля оперативной памяти выполняется в программе AIDA64 Extreme версии 6.
Модуль оперативной памяти установлен в количестве одна штука. Суммарный объем 8141 Мб. В программе AIDA64 есть отличные встроенные тесты скорости оперативной памяти, где мы ее и проверим. Задержки в памяти составили 85,6 нс. Мною была повышена частота памяти с 2400 МГц до 3200 МГц.
К слову, существует такое понятие как длина пакета данных Burst Length. Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация Memory Organization. Геометрия модуля показывает его ширину и глубину.
Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность. На маркировке без труда можно найти значения таймингов Источник изображения Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги задержки. В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды. Это время измеряется в тактах шины памяти. Чем меньше это время, тем лучше.
Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки. Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR. После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля. Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея.
Было решено вдвое увеличить шину внутри чипа, а передачу данных осуществлять также на вдвое повышенной частоте. Кроме этого, в DDR предусматривалась передача информации по обоим фронтам тактового сигнала, то есть два раза за такт. Эта частота называется реальной. Но из-за того, что передача данных осуществлялась по обоим фронтам тактового сигнала, производители в маркетинговых целях умножали эту цифру на 2 и получали якобы эффективную частоту 400 МГц, которую и указывали в маркировке в данном случае — DDR-400. При этом в спецификациях JEDEC указано, что использовать термин «мегагерц» для характеристики уровня производительности памяти и вовсе некорректно! Вместо него необходимо использовать «миллионы передач в секунду через один выход данных». Однако маркетинг — дело серьезное, указанные в стандарте JEDEC рекомендации мало кому были интересны. Поэтому новый термин так и не прижился.
Также в стандарте DDR впервые появился двухканальный режим работы памяти. Использовать его можно было при наличии четного числа модулей памяти в системе. Его суть заключается в создании виртуальной 128-битной шины за счет чередования модулей. В таком случае происходила выборка сразу 256 бит. На бумаге двухканальный режим может поднять производительность подсистемы памяти в два раза, однако на практике прирост скорости оказывается минимален и далеко не всегда заметен. Он зависит не только от модели оперативной памяти, но и от таймингов, чипсета, контроллера памяти и частоты. Он располагается на печатной плате вместе с линиями данных. QDS был полезен при использовании двух и более модулей памяти.
В таком случае данные приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей во времени из-за разного расстояния до них. Это создает проблемы при выборе синхросигнала для считывания данных, которые успешно решает как раз QDS. В случае DIMM количество пинов составляло 184 штуки.
Их прочные теплораспределители обеспечивают максимальное охлаждение, предотвращающее перегрев и поддержание максимальной производительности. Откройте для себя Alibaba. Вы откроете для себя клепку. Поищите на сайте разные версии этих продуктов и выберите наиболее подходящий.
Оперативная память DDR4 8 GB
Сам по себе модуль памяти представляет собой печатную плату с распаянными на ней чипами. Первый предназначается для использования в полноценных настольных компьютерах, а второй — для установки в ноутбуки. Несмотря на один и тот же форм-фактор, модули памяти разных поколений отличаются количеством контактов. Конечно, речь в данном случае идет о DIMM-модулях. Устройства, выполненные в форм-факторе SO-DIMM, само собой имеют меньшее число контактов в силу своих меньших размеров.
Модуль DDR внизу имеет больше пинов, чем SDRAM вверху Источник изображения Вполне очевидно и то, что объем каждого модуля памяти высчитывается как сумма емкостей каждого распаянного чипа. Чипы памяти, конечно, могут отличаться своей плотностью или, проще говоря, объемом. К примеру, прошедшей весной компания Samsung наладила серийное производство чипов с плотностью 4 Гбит. Причем в обозримом будущем планируется выпуск памяти с плотностью 8 Гбит.
Также модули памяти имеют свою шину. Минимальная ширина шины составляет 64 бит. Это означает, что за такт передается 8 байт информации. Кстати, ширина шины модуля памяти также является суммой ширин шин каждого отдельно взятого чипа памяти.
Именно это число имеется в виду в маркировке модуля PC3-19200. Как же происходит непосредственно чтение информации из памяти? Сначала подается адресный сигнал в соответствующую строку Row , а уже затем считывается информация из нужного столбца Column. Информация считывается в так называемый усилитель Sense Amplifiers — механизм подзарядки конденсаторов.
В большинстве случаев контроллер памяти считывает сразу целый пакет данных Burst с каждого бита шины. Соответственно, при записи каждые 64 бита 8 байт делятся на несколько частей. К слову, существует такое понятие как длина пакета данных Burst Length. Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация Memory Organization.
Геометрия модуля показывает его ширину и глубину. Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность.
На маркировке без труда можно найти значения таймингов Источник изображения Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги задержки. В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды. Это время измеряется в тактах шины памяти.
Чем меньше это время, тем лучше. Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки.
Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR. После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля.
Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея.
Игры, фильмы и интересные события Максимальный объем памяти DDR5 для ПК официально увеличили в 8 раз и шокировали игроков 17 июля 2020 в 18:20 11666 DDR5 Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC наконец официально раскрыл характеристики оперативной нового поколения DDR5, объем которой шокировал игроков. Оглашены окончательные характеристики оперативной памяти следующего поколения DDR5, которым должна соответствовать продукция 300 крупнейших производителей, включая AMD, Intel, Micron и Samsung. Как сообщает , новый формат станет очередным этапом развития DDR SDRAM и будет сильно отличаться от предыдущего поколения двумя главными характеристиками — скоростью обработки данных и объемом.
Производителям оперативной памяти удалось увеличить количество матриц на одном чипе до 8, за счет чего вырос и объем.
Во-вторых, продолжительная нехватка 14-нм процессоров Intel вкупе с сезонными у многих производителей финансовый год закрывается в августе скидками на ПК-оборудование. Ресурс CamelCamelCamel, отслеживающий цены на Amazon, подтвердил этот прогноз, предоставив соответствующие графики. Аналогичная тенденция прослеживается и с более дорогим ОЗУ G.
Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.