Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр. Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты. При этом модули Intel Optane DC Persistent Memory на 256 ГБ стоят 2000 долларов почти 128,5 тысяч рублей , а за младший 128-гигабайтный модуль придется выложить 1860 долларов почти 119,5 тысяч рублей.
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.
Технология Hyper Cache позволяет использовать до 60 Гб от общего объема накопителя. Гарантийный срок 2 года с фактической даты поставки потребителю Срок службы Срок службы устройства прогнозируется с помощью количества записей на диск в день на основе нескольких факторов, связанных с использованием, таких как объем данных, записанных на диск, условия управления блоками и ежедневная рабочая нагрузка на диск.
Также планируется, что современная энергоэкономичная память будет востребована в работе с большими данными и в вычислениях, которые связаны с машинным обучением и искусственным интеллектом. Компания Samsung долгое время оставалась лидером в сфере производства памяти. Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц.
Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой).
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL – Samsung Newsroom Россия | Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. |
| Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости | Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. |
| ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM | Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. |
| Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден | Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. |
Рынок Модулей Памяти
Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти.
Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
Один из видов таких схем — фотонная интегральная схема, в которой передача, хранение и обработка информации производится с помощью света. Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе. Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1». Таким образом записывается информация.
Это дополнительное оптическое считывание также открывает новые пути передачи большого объема информации». Раньше эти гибридные устройства сочетали в себе две различных системы, что усложняло их производство. Новая разработка обходится всего одним материалом — перовскитом. Этот кристалл обладает впечатляющими электрическими и оптическими свойствами и все чаще применяется в фотоэлементах и устройствах генерации энергии. В данном случае перовскит состоит из бромида цезия и свинца CsPbBr3 и разделен на две части.
Их «фишкой» является встроенная система активного охлаждения — каждый модуль имеет по два вентилятора. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ.
Память FeRAM выпускается вот уже на протяжении двух десятков лет. Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила.
Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. |
| Быстродействующие модули памяти для оптических компьютеров будущего | Пикабу | Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Компьютерра | Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. |
| TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ — МИР NVIDIA | Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. |