Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
В ряде моделей применяется 3D MLC-память — более надежная с точки зрения ресурса и количества циклов перезаписи, которая пользуется спросом у российских производителей компьютеров, систем видеонаблюдения и других решений, где требуется повышенная надежность. GS NanotechРазработка, корпусирование и тестирование микроэлектронной продукции.
Новый модуль на базе Samsung Double Data Rate 5 DDR5 позволит значительно повысить объем памяти серверных систем и увеличить пропускную способность, ускоряя выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом ИИ и высокопроизводительными вычислениями HPC в центрах обработки данных. Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных. Также он повышает емкость памяти и пропускную способность, превосходя возможные ранее показатели. Для разработки технологий интерфейсов следующего поколения Samsung сотрудничает с рядом ЦОД и производителями серверов и чипов с момента создания консорциума CXL в 2019 году.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ Они продаются комплектами по два модуля в каждом Corsair стала одной из первых компаний, запустившей продажи модулей оперативной памяти DDR5-5600 объемом 24 и 48 ГБ.
Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется». Источник — Astera. Поделиться с друзьями Выходные данные Зарегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций Роскомнадзор.
Разработан новый формат модулей памяти DDR4
Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
| Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет | ИА Красная Весна | Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. |
| Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ | Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц. |
| NAND-память | Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. |
| Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ | объема и количества модулей (при одинаковой частоте 2 планки оперативной памяти по 8 Гб будут работать быстрее одной на 16 Гб. |
| Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. |
Релизы игр:
- Навигация по записям
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
- Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера. Новым витком успеха стал запуск новой усовершенствованной памяти в массовое производство. Эксперты отмечают, что выход пресс-релиза с описанием технологических процессов — новый шаг, повышающий прозрачность работы компаний, подобных Samsung. Возможно, вскоре другие участники рынка также будут готовы представить открытые данные о производстве своей продукции.
Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам. Материалы по теме:.
Большая эффективность шины — на 18 процентов — достигается за счет встроенного управления питанием PMIC, которая уменьшает потребность в работе с низким напряжением. Представленная компанией разработка предназначена в первую очередь для дата-центров.
В Samsung уточнили, что не собираются останавливаться на достигнутом и в будущем представят модули памяти DDR5 емкостью в один терабайт. В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам.
Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. Это значительно повышает скорость передачи данных. Новая технология позволит увеличить плотность записи и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 Гбайт на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 2023—2024 годов.
До этого компания могла выпускать 32-Гбит чипы только при TSV-монтаже друг на друга 16-Гбит кристаллов. Выпуск «цельных» 32-Гбит чипов DDR5 в одинаковом корпусе с 16-Гбит микросхемами снизит потребление и откроет путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти. Нынешний анонс не означает немедленный запуск в массовое производство 32-Гбит микросхем. Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года.
Память FeRAM выпускается вот уже на протяжении двух десятков лет. Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит.
Но Micron, судя по всему, эту проблему решила.
Ссылка скопирована. Layer close Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL позволяет масштабировать объем памяти до терабайтного уровня и существенно сокращает время ожидания системы Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, представила первый в отрасли модуль с поддержкой нового стандарта Compute Express Link CXL. Новый модуль на базе Samsung Double Data Rate 5 DDR5 позволит значительно повысить объем памяти серверных систем и увеличить пропускную способность, ускоряя выполнение задач, связанных с искусственным интеллектом ИИ и высокопроизводительными вычислениями HPC в центрах обработки данных. Распространение ИИ и Big Data приводит к росту использования гетерогенных вычислений, при которых несколько процессоров работают параллельно для обработки больших объемов данных.
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
| Быстродействующие модули памяти для оптических компьютеров будущего | Пикабу | Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном. |
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Компьютерра | DDR5 XMM CXL стал первым в портфолио SMART Modular Technologies модулем памяти стандарта CXL. |
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Два китайских производителя модулей памяти официально подтвердили, что первые модули DDR5 сошли с конвейеров спустя считанные недели после того, как на заводы-изготовители.
Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
- Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- "Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
Другие новости
- Серверные модули памяти от MMY
- Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит |
- Похожие темы
- NAND-память
- В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
| Серверные модули памяти от MMY | Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. |
| Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит | Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. |