Kingston Оперативная память HyperX DDR4 8 Gb 3200MHz озу DIMM. Комплекты памяти Kingston FURY Impact DDR5 с функциональностью Plug N Play и емкостью до 64 ГБ разгоняются до максимальной частоты 5600 МТ/с без изменения настроек BIOS. Samsung Оперативная память DDR4 8GB SO-DIMM 2666 Mhz PC-21333 1x8 ГБ (для ноутбука).
Тест DDR5: 2x8 vs 1x16 vs 4x8 vs 2x16 на Intel Alder Lake
| Гайд по выбору оперативной памяти DDR4 в 2022 году | Лидирует в ТОПе оперативной памяти DDR4 по соотношению стоимости и качества ещё одна отличная модель |
| Выбираем оперативную память для твоего компьютера | Оперативная память (ОЗУ) — это больше, чем просто число в спецификации. |
| Память DDR5 стоит как никогда дешево. Но как она влияет на игры? / Хабр | D9TFW фото оперативная память для ноутбука SO-DIMM DDR4, 2 Гб, 400 МГц (PC-3200), Micron. |
| Как выбрать оперативную память DDR3 для компьютера и ноутбука: тайминги, частота, обьем, разгон | Лучшие модули оперативной памяти DDR3 на 4 Гб. |
Эксперты выяснили, сколько «оперативки» нужно смартфону
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR24N17S8K2/16 состоит из двух модулей по 8 Гб DDR4. Хороший вариант для наращивания объема оперативной памяти недорогого домашне-мультимедийного ноутбука 4-8 ГБ. Оперативная память самого современного стандарта DDR5 выросла в цене на 20%.
Объявления по запросу «Ddr4» в Ростове-на-Дону
Компания Hynix планирует в этом десятилетии достичь скорости в 8. На старте продаж объем памяти меньший, но начнет постепенно увеличиваться. DDR5 более энергоэффективна и работает на напряжении 1.
Сам по себе модуль памяти представляет собой печатную плату с распаянными на ней чипами. Первый предназначается для использования в полноценных настольных компьютерах, а второй — для установки в ноутбуки. Несмотря на один и тот же форм-фактор, модули памяти разных поколений отличаются количеством контактов. Конечно, речь в данном случае идет о DIMM-модулях. Устройства, выполненные в форм-факторе SO-DIMM, само собой имеют меньшее число контактов в силу своих меньших размеров. Модуль DDR внизу имеет больше пинов, чем SDRAM вверху Источник изображения Вполне очевидно и то, что объем каждого модуля памяти высчитывается как сумма емкостей каждого распаянного чипа. Чипы памяти, конечно, могут отличаться своей плотностью или, проще говоря, объемом. К примеру, прошедшей весной компания Samsung наладила серийное производство чипов с плотностью 4 Гбит.
Причем в обозримом будущем планируется выпуск памяти с плотностью 8 Гбит. Также модули памяти имеют свою шину. Минимальная ширина шины составляет 64 бит. Это означает, что за такт передается 8 байт информации. Кстати, ширина шины модуля памяти также является суммой ширин шин каждого отдельно взятого чипа памяти. Именно это число имеется в виду в маркировке модуля PC3-19200. Как же происходит непосредственно чтение информации из памяти? Сначала подается адресный сигнал в соответствующую строку Row , а уже затем считывается информация из нужного столбца Column. Информация считывается в так называемый усилитель Sense Amplifiers — механизм подзарядки конденсаторов. В большинстве случаев контроллер памяти считывает сразу целый пакет данных Burst с каждого бита шины.
Соответственно, при записи каждые 64 бита 8 байт делятся на несколько частей. К слову, существует такое понятие как длина пакета данных Burst Length. Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация Memory Organization. Геометрия модуля показывает его ширину и глубину. Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность. На маркировке без труда можно найти значения таймингов Источник изображения Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги задержки. В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды.
Это время измеряется в тактах шины памяти. Чем меньше это время, тем лучше. Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки. Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR. После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля. Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея.
Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.
Что касается графики, то это ядро также получит собственный кэш L3. Это логичный шаг, учитывая доступность памяти нового типа, а также возможность сэкономить инженерные ресурсы для создания других элементов чипа.
Также будущие процессоры предложат больше линий PCIe 5.
DDR4 или DDR5: какая оперативная память лучше в 2024 году?
Отличаются высоким частотным потенциалом и самыми низкими возможными таймингами. Найти можно с помощью B-Die Finder или по таймингам в XMP, которые будут ниже, чем у прочих вариантов с той же частотой. Первые три тайминга часто но не всегда будут одинаковыми. Это оно, хватай скорей, если не слишком дорого. Micron rev. B 16 Gb. Рекордсмены по достигаемым частотам, без особых проблем берут DDR4-4000 и выше на народных платформах, при этом по демократичным ценам и в большом ассортименте.
Гарантированный способ их получить — покупка вышеупомянутых Crucial Ballistix. Увы, с производства этот суббренд да, весь Ballistix уже также снят, и приходится охотиться за остатками. Варианты с несколько меньшим потенциалом могут встречаться в недорогих комплектах под брендом на самих чипах Spectek. Вторые чуть перспективнее, но и предшественники отстают несильно. В целом схожи с Micron Rev. E, но не обладают таким исполинским частотным потенциалом.
Примеры — 3600 16-19-19 или 3200 16-18-18. При покупке планок отличных от Crucial брендов с таймингами похожих размерностей следует ожидать рандома, но поводов расстраиваться не будет ни с Micron, ни с Hynix. Самые распространённые и доступные на сегодняшний день варианты вроде DDR4-3600 18-22-22-42 могут нести в себе примерно что угодно, и их разгонный потенциал может отличаться но на рекорды рассчитывать в любом случае не стоит. С ними вполне можно жить, и переживать о недостаточно низких таймингах большинству пользователей не придётся. Номенклатура ещё не разрослась до необъятных размеров, но к концу года картина дополнится и изменится, поскольку новые чипы уже выходят на рынок. Однако первые выводы мы можем сделать уже сейчас.
И для начала хотел бы подметить, что высокий скоростной потенциал какого-то типа чипов совершенно не обязательно означает, что они дороже в производстве. Отсюда вытекает любопытное следствие: в дешёвых JEDEC-китах DDR5-5600 в зависимости от ловкости производителя в закупках могут встречаться совершенно какие угодно чипы, включая самые шустрые, но гарантии этому в большинстве случаев нет, поэтому лучше не играть в лотерею — если только в описании товара не закреплена железобетонная привязка, как здесь: Micron A-die — на текущий момент худшее, что есть на рынке. Они стоят в самых дешёвых планках уровня 4800-5200, несут посредственные тайминги и совсем не хотят разгоняться дальше. С другой стороны, практически любую DDR5-4800 можно одной строкой в биосе превратить в DDR5-5200 без каких бы то ни было усилий, даже с чипами Micron. Покупать их скорее не стоит. Samsung B-die — чипы, способные брать частоты 6000-6200 и даже с низкими первичными таймингами, но прочие параметры не отличаются особым потенциалом.
Отличить на витрине их можно по XMP 5600-6000 с ровными таймингами 36-36-36. В целом брать вполне можно, но под амбициозный разгон не рекомендуется. Hynix M-die 16 Gb. Идеальны для Intel 12th gen. Выпуск M-die потихоньку сворачивается, поскольку следующий вариант оказался быстрее и дешевле в производстве. Hynix A-die 16 Gb.
К сожалению, некоторые тайминги по сравнению с M-die придётся слегка отпустить, но незначительно. Если вы задаётесь целью получить максимальную пропускную способность или гнать память с Intel 13th gen, то это ваш вариант. Со временем всё заметнее занимают место в планках, которые раньше содержали только M-die — и более того, по причине своей дешевизны всё чаще попадают и в недорогие комплекты. Hynix 24 Gb буква пока не определена — ещё чуть лучше, чем A-die — главным образом в простоте управлениями ими контроллером памяти. Информации пока мало. Micron B-die — появились совершенно недавно, демонстрируют уже более-менее приличные частоты встречается XMP 6800-7000 с грустными таймингами вроде 40-50-50-110 , но информации пока мало.
Пока что замечены только в китах Corsair. Micron 24 Gb предположительно B-die. Созданы, чтобы производить комплекты памяти с промежуточными объёмами в 24 и 48 ГБ. Информации по ним пока мало — как о поддержке материнскими платами, так о частотном потенциале. Судя по первым отзывам, значительных улучшений по сравнению с чипами 8 и 16 Gb не произошло. И да, 24-гигабайтные планки DDR5 — одноранговые.
Это означает, что их не сложнее заставить работать на высоких частотах, чем 16-гигабайтные а иногда и проще, потому что производство и внутренняя структура чипов потихоньку совершенствуются. Особенности работы процессоров с памятью: Intel С потребительскими процессорами 6-7 поколений и годной DDR4 можно рассчитывать на частоты 3000-3200. Для улучшения результатов и общего повышения производительности рекомендуется разгон кольцевой шины ring bus или uncore , соединяющей друг с другом различные элементы внутри процессора, в том числе контроллер памяти. Для разгона памяти со процессорами 6-9 поколений потребуется материнская плата на Z-чипсете. И только десятое может использовать разблокированные настройки памяти с платами на более доступном чипсете — да и то, не на вышедшем вместе с 10th gen «родном» B460, а в следующем — B560, выпущенном в пару к следующему поколению процессоров. В режиме Gear 1 организация подсистемы памяти принципиально не изменилась, но потенциальная граница частоты для стабильной работы откатилась до уровня примерно DDR4-4000 — и то, если повезёт.
А при включении Gear 2 достижимая скорость памяти становится практически неограниченной, зато контроллер начинает работать со снизившейся в два раза скоростью. На практике это приводит к потерям производительности, поэтому с DDR4 берём за правило всегда использовать только Gear 1. Возможно, так компания просто потренировалась на кошках перед следующими поколениями. Но теперь наконец появилась поддержка DDR5: новые матери за неприличные деньги, частоты 6000-6400 работают «из коробки» с XMP, а Gear 2 становится стандартом, потому что на таких скоростях множитель 1:1 для контроллера становится практически недостижим. Кстати, для DDR5 появился ещё и Gear 4, но его использовать точно так же не стоит. К сожалению, стабильность на скоростях выше хромает, но это ожидаемо.
Сложности заключаются в том, что при высоких частотах система требует необычно долгого тестирования, потому что ошибки в стресс-тестах могут появляться не сразу, а спустя несколько часов. F-версии отличаются только отключённым видеоядром. Не забываем про маркетинг: реальные улучшения архитектуры вроде повышенного кэша получили только старшие процессоры, начиная с 13600K см. Остальные процессоры 13-го поколения базируются на той же архитектуре Alder Lake, что и 12-е, со всеми её плюсами, минусами и старым контроллером памяти. Очень рекомендую. Наконец, маленький совет: для стресс-тестов во время разгона и настройки памяти рекомендуется отключать E-cores — они только мешаются и растягивают процесс.
После того, как подтвердите стабильность, можно включать их назад. Дальше ситуация заметно улучшилась — Ryzen 3000 и 5000 практически идентичны в своём потенциале и в массовых процессорах без особых проблем берут 3600-3800, а иногда и выше. Это шина, соединяющая между собой чиплеты в процессоре и элементы внутри них — аналог вышеупомянутой кольцевой шины в продукции Intel, прямым образом влияющий на производительность CPU. Из-за этого практический потолок памяти ограничивается именно частотой Infinity Fabric, на которую способен ваш конкретный экземпляр процессора. На этом фоне выгодно отличаются процессоры AMD, основанные на монолитных чипах с архитектурами Zen 2 и Zen 3 — особенно Ryzen 5500, 5600G и 5700G, а также их аналоги из семейства 4000. Поскольку в них Infinity Fabric не соединяет между собой чиплеты, то её частота практически не ограничена — это абсолютно лучшие чипы для разгона DDR4, посоперничать с которыми в итоговой частоте могут лишь Intel 10th gen но в бенчмарках проиграют.
Тайминги они также позволяют затягивать туже некуда. Ryzen 7000 принесли поддержку DDR5, но контроллер памяти здесь чуть медленнее, чем в Intel 12th gen: все процессоры берут 6000, многие — 6200, некоторые — 6400 и этих некоторых стало совсем мало после недавних обновлений BIOS, ограничивших максимальное значение SOC voltage. Зато со стабильностью лучше: тестирование быстрее, чем с Intel, позволяет понять, работает ли выбранный набор параметров памяти без ошибок. Кроме того, Infinity Fabric теперь отвязана от частоты памяти, и их можно разгонять совершенно независимо. С ними значительно улучшилась работа Ryzen 7000 с памятью: теперь доступные частоты не уступают Intel и достигают DDR5-8000 конечно же, если сама память позволит. Продолжаю рекомендовать.
Один из самых популярных вопросов сегодняшнего дня: что лучше — сэкономить и взять в пару к последним процессорам Intel память DDR4 или раскошелиться на DDR5 и соответствующую материнскую плату? В интернете есть масса тестов, которые нетрудно нагуглить, но вместо кучки графиков я лучше опишу их выводы текстом. Великие художники воруют Следует учесть, что написанное после следующей картинки будет понемногу терять актуальность, если принимать во внимание ценовую динамику и доступность. С ценами в РФ всё не так радужно, но потихоньку тренд пробирается и в страну деревянных. Если ориентироваться на DNS, то комплект 2x16 ГБ DDR4-3600 с приемлемыми, но не особо привлекательными таймингами 18-22-22-42 сейчас стоит около 7-8 тысяч рублей. Более интересных вариантов уже почти и не осталось, тем более по приличным ценам.
Кит DDR5-6000 идентичного объёма же обойдётся в 10-12 тысяч, что уже не такая уж и большая разница. Гарантированный Hynix под разгон можно найти от 11 тысяч. Разница в стоимости материнских плат одного уровня, использующих разные типы памяти — около 5 тысяч рублей. Итого при сборке платформы с нуля выбор DDR5 сегодня обойдётся вам как минимум на 8-10 тысяч рублей дороже. Считаете ли вы это приемлемым — решать вам, но мой гайдлайн таков: чем слабее процессор и туже бюджет, тем меньше толку даст вложение средств в DDR5. Видеокарта уровнем выше, на которую вы можете потратить эту сумму, гарантированно прибавит вам больше FPS, чем оперативка.
Если же у вас уже есть годная DDR4, то разница может стать ещё больше. А теперь возвращаемся к тому, что я написал о вопросе «DDR4 или DDR5» два месяца назад: Для неискушённого пользователя, который не планирует тратить многие часы на разгон и настройку, ответ будет лежать скорее в психологической плоскости — компьютер с DDR5 будет восприниматься как более современный, даже если прирост на практике не сильно-то и заметен. Покупка днищенской DDR5 с частотой ниже 6000 в большинстве случаев не имеет смысла с точки зрения погони за дополнительной производительностью по сравнению с DDR4-3600. На текущий момент переплата скорее всего того не стоит, но это вопрос кошелька, и если очень хочется, то пожалуйста, конечно. Но и стоит она уже не так уж дёшево, поэтому вариант скорее для скучающих энтузиастов. Стоит ли она тех денег, которые за неё просят в разрезе прироста производительности?
DDR5 более энергоэффективна и работает на напряжении 1. Управлением питанием в DDR5 осуществляется не в материнской плате, как на предыдущих поколениях памяти, а на самом модуле. Вместе это дает пониженное энергопотребление, что будет актуальным для портативным устройств и серверов.
Даже при наличии огромного бюджета. Но, во-первых, найти такой объём одним набором почти невозможно, а во-вторых, нам сложно представить ситуации, в которых у вас получится заполнить его хотя бы на треть. Поэтому комплектов на 64 ГБ в нашем обзоре вы также не встретите. Значение играет также количество планок. Для быстрой работы уже давно недостаточно одного модуля. А вот два пока хватает практически для любых задач. Если же вам нужна максимальная производительность в играх или вы работаете в профессиональном ПО, тогда следует присматриваться к комплектам с четырьмя планками. Следующие важные пункты — частоты и тайминги. И тот, и другой параметр влияют на скорость работы модулей, причём находятся в обратной зависимости друг от друга.
Кроме этого, в DDR предусматривалась передача информации по обоим фронтам тактового сигнала, то есть два раза за такт. Эта частота называется реальной. Но из-за того, что передача данных осуществлялась по обоим фронтам тактового сигнала, производители в маркетинговых целях умножали эту цифру на 2 и получали якобы эффективную частоту 400 МГц, которую и указывали в маркировке в данном случае — DDR-400. При этом в спецификациях JEDEC указано, что использовать термин «мегагерц» для характеристики уровня производительности памяти и вовсе некорректно! Вместо него необходимо использовать «миллионы передач в секунду через один выход данных». Однако маркетинг — дело серьезное, указанные в стандарте JEDEC рекомендации мало кому были интересны. Поэтому новый термин так и не прижился. Также в стандарте DDR впервые появился двухканальный режим работы памяти. Использовать его можно было при наличии четного числа модулей памяти в системе. Его суть заключается в создании виртуальной 128-битной шины за счет чередования модулей. В таком случае происходила выборка сразу 256 бит. На бумаге двухканальный режим может поднять производительность подсистемы памяти в два раза, однако на практике прирост скорости оказывается минимален и далеко не всегда заметен. Он зависит не только от модели оперативной памяти, но и от таймингов, чипсета, контроллера памяти и частоты. Он располагается на печатной плате вместе с линиями данных. QDS был полезен при использовании двух и более модулей памяти. В таком случае данные приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей во времени из-за разного расстояния до них. Это создает проблемы при выборе синхросигнала для считывания данных, которые успешно решает как раз QDS. В случае DIMM количество пинов составляло 184 штуки. Соответственно, DDR обладала меньшим энергопотреблением и тепловыделением в сравнении с предшественником. В сравнении с DDR, оперативная память второго поколения не получила существенных изменений. DDR2 использовала всю ту же архитектуру 2n-prefetch. Если раньше внутренняя шина данных была вдвое больше, чем внешняя, то теперь она стала шире в четыре раза. При этом возросшую производительность чипа стали передавать по внешней шине с удвоенной частотой. Именно частотой, но не удвоенной скоростью передачи. Вновь было снижено рабочее напряжение. Первое время модули DDR2 в отрицательную сторону отличались высокими задержками, из-за чего проигрывали в производительности планкам DDR с одинаковой частотой. Однако вскоре ситуация вернулась на круги своя: производители снижали задержки и выпускали более быстрые наборы оперативной памяти. Само собой, сохранилась передача данных по обоим концам тактового сигнала, а теоретическая пропускная способность выросла в два раза. При этом внутренняя шина стала в восемь раз больше, чем внешняя. Из-за этого в очередной раз при смене поколений памяти увеличились ее тайминги. Номинальное рабочее напряжение для DDR3 было снижено до 1,5 В, что позволило сделать модули более энергоэффективными. Также стоит отметить, что модули DDR3 оказались ни физически, ни электрически несовместимы с любым из предыдущих поколений памяти. Конечно, чипы DDR3 получили поддержку некоторых новых технологий: например, автоматическую калибровку сигнала и динамическое терминирование сигналов. Однако в целом все изменения носят преимущественно количественный характер. Ассоциация JEDEC начала разработку стандарта еще в 2005 году, однако лишь весной этого года первые устройства появились в продаже. Как говорится в пресс-релизе JEDEC, при разработке инженеры пытались достичь наибольшей производительности и надежности, увеличив при этом энергоэффективность новых модулей. Что ж, такое мы слышим каждый раз. Любой чип памяти может состоять из двух или четырех отдельных групп банков.
DDR4 или DDR5: какая оперативная память лучше в 2024 году?
| Оперативная память DDR4 для ноутбуков | Большинство коммерческих планок оперативной памяти DDR4 поставляются в вариантах 8 и 16 Гб, а максимальный объем составляет 32 Гб. |
| Оперативная память | Комплекты памяти Kingston FURY Impact DDR5 с функциональностью Plug N Play и емкостью до 64 ГБ разгоняются до максимальной частоты 5600 МТ/с без изменения настроек BIOS. |
| Лучшие наборы оперативной памяти для домашних ПК и ноутбуков: 7 удачных вариантов | В каталоге Оперативная память DDR4 можно ознакомиться с ценами, отзывами, описанием и посмотреть фотографии товаров. |
| Начало новой эпохи. Как работает оперативная память стандарта DDR4 | Как работает оперативная память стандарта DDR4. Новейшие модули памяти DDR4 уже несколько месяцев как поступили в продажу. |
10 лучших модулей памяти DDR4
1144 товара в наличии! Оперативная память 8Gb Kingston KVR21S15S8/8 DDR4 2133 SO-DIMM — Оперативная память HyperX DDR4 8 Gb 3200MHz озу DIMM Kingston. Оперативная память HyperX DDR4 8 Gb 3200MHz озу DIMM Kingston. Составлен топ-12 лучших модулей оперативной памяти DDR4 и DDR5.
Какую память DDR4 покупать в 2024 году – выбор комплекта RAM
Samsung Оперативная память DDR4 8GB SO-DIMM 2133 Mhz PC-17000 1x8 ГБ (для ноутбука). Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. KingSpec Оперативная память Memoria Ram Ddr4 4 ГБ 8 ГБ 16 ГБ 2400 МГц 2666 3200 для ноутбука Memoria RAM DDR4 1,2 В ОЗУ для ноутбука.