В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось. Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои.
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом.
Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти
И это может серьезно изменить всю индустрию, а также помочь в развитии искусственного интеллекта. Память FeRAM выпускается вот уже на протяжении двух десятков лет. Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит.
Сейчас он в стадии комплектования. Другие запросы, полученные с ресурса, нами обработаны, и все они находятся в разной стадии готовности к началу работ. Если говорить о пользе ресурса помимо источника лидов, то, безусловно, это еще и ежедневная информация, всегда разноплановая, актуальная и интересная. Рабочий день начинаю с прочтения размещенных за истекшие сутки статей и новостей. Часть из них уникальная, в основном, это переводы из иностранных специализированных изданий. Без колебаний продлеваю присутствие компании на Индастри Хантер на 2020 год. Мы активно используем «Базу знаний» на платформе для привлечения внимания к нашей компании и нашим услугам, публикуя полезные материалы по выбору производственных помещений, проектированию и строительству.
Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации. О том, когда эта память появится в продаже, точной информации пока нет.
По его словам, модуль памяти "черного ящика" Су-24 состоит из 16 микросхем. При этом три из восьми микросхем на верхней плате модуля имеют "явные разрушения со сломами". В связи с этим Семенов не исключил, что полетная информация на этих микросхемах может отсутствовать. Для того, чтобы установить повреждения на каждой из микросхем, принято решение провести рентгеноконтроль в лаборатории.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
| Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение | Такая дешевая и очень игровая китайская ОЗУ с AliExpress. Мы протестировали 7 популярных комплектов DDR4 и готовы ответить на главный вопрос – почему не стои. |
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. |
| Samsung выпустила модуль оперативной памяти на 512 гигабайт: Гаджеты: Наука и техника: | Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. |
| "Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако... | Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4. |
Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
GS Nanotech — единственное предприятие в России, которое обладает компетенциями по корпусированию модулей MLC/TLC NAND Flash-памяти. Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
В основе модулей — последнее поколение кристаллов от ведущих мировых производителей: Micron, Kioxia, SK Hynix и др. В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC. На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране.
По словам южнокорейского производителя, новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объём по сравнению с памятью DDR4. При производстве модуля DDR5-7200 объёмом 512 Гбайт Samsung использовала восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV through-silicon via , характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке. Несмотря на восьмислойную компоновку чипов DDR5, высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1,0 мм против 1,2 мм у DDR4.
Новый модуль Samsung успешно прошел тестирование на серверных платформах Intel следующего поколения. Кроме того, Samsung сотрудничает с центрами обработки данных и поставщиками облачных услуг по всему миру, чтобы лучше удовлетворять их потребность в большей емкости памяти. Для получения дополнительной информации о продуктах Samsung посетите сайты Samsung.
Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет. Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии. Что еще?
Похоже, что модулям памяти Intel Optane DC требуется активное охлаждение
Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как и Zadak, которые уже представили первые модули. Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. |
| Lenovo представила первый в мире ноутбук с модулями памяти LPCAMM2 DDR5x | Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. |
| Акция на Оригинальные восстановленные модули памяти | — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. |
| Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти | Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. |
| Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ | Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. |
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Micron показала огромные модули памяти MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии.
Устройства и решения для хранения данных
- Минпромторг: Модуль памяти "черного ящика" SSJ-100 цел
- Оперативная память ⭐ новости, стандарты, технологии на
- Навигация по записям
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
- Вам также понравятся
- Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
Обсуждение (2)
- Разработка и производство микроэлектроники
- Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
Новинка предназначена в первую очередь для дата-центров, специализирующихся на высокопроизводительных вычислениях и операциях, связанных с ИИ. Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения.
Ранее FeRAM использовалась в космической отрасли, но если Micron сумеет наладить массовое производство модулей большого объема, есть шанс полноценной революции в индустрии.
Что еще?
Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули.
По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX.
По сути это обычный модуль памяти, но с двойным набором микросхем и увеличенными габаритами. Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули.