Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Хотя «дорожная карта» компании Micron описывает возможности создания нишевых продуктов памяти, таких как планки емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, они, скорее всего, будут ориентированы на конкретных заказчиков.
Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной. Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel.
Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD.
Поделиться Выпущен новый стандарт памяти для ноутбуков. Основан в 1958 г. Американская компания впервые встроила память этого типа в свои ноутбуки линейки Precision 7770 и 7670, увидевшие свет весной 2022 г. Серьезным минусом CAMM оставалась ранее упомянутая проприетарность технологии, накладывающая значительные ограничения на возможности модернизации устройств ее использующих. На тот момент Dell оставалась единственной компанией, выпускавшей модули данного типа.
Это значит, что их производство зависит от поставок таких фирм, как Micron. Чипы DDR5 от Micron уже поступили на заводы нескольких компаний - производителей модулей памяти, в число которых, помимо двух вышеупомянутых, входит, например, Galax. Все эти компании в настоящее время работают над запуском модулей DDR5 в массовое производство и проводят оценку возможностей технологии DDR5. Компания Netac подтвердила, что они уже завершили сертификационные испытания своих модулей DDR5, проводившиеся совместно с такими фирмами, как ASUS и MSI, предоставившими для этих испытаний свои образцы материнских плат.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление. Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года. Однако для того, чтобы использовать новую память DDR5, необходимо, чтобы она была поддержана процессорами и материнскими платами.
Этот формат призван объединять два RDIMM-модуля регистровой памяти в одном, позволяя увеличить производительность с минимальными затратами.
Эти модули должны стать универсальным решением для буферизованной памяти следующего поколения. Они должны будут существенно увеличить производительность серверов и общую емкость памяти, вмещая в себя два модуля вместо одного. Когда они поступят в продажу и сколько будут стоить, пока неизвестно.
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.
То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты. При этом модули Intel Optane DC Persistent Memory на 256 ГБ стоят 2000 долларов почти 128,5 тысяч рублей , а за младший 128-гигабайтный модуль придется выложить 1860 долларов почти 119,5 тысяч рублей.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.
Про планы и перспективы
- Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
- Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
- Micron готовит первые на рынке 32 Гб модули памяти DDR5
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб.
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
| Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто? Новости | Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. |
| Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ | Первые 12-гигабитные модули мобильной DRAM-памяти LPDDR5 выпустила Samsung в сентябре 2019 года. |
| Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL | По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. |
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. |
| Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL | Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. |
Подписка на дайджест
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий
- Первые серийные модули памяти DDR5 успешно прошли стадию испытаний
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
- Статьи на тему: Оперативная память